根據(jù)局部放電產(chǎn)生的機理和發(fā)生的位置，大致可將電氣設備中發(fā)生的局部放電類型分為三種：1）絕緣介質內部的局部放電；2）絕緣介質表面的局部放電；3）高壓電極的電暈放電。每一種局部放電類型的放電起始電壓、放電波形以及跟隨施加電壓的變化規(guī)律都不盡相同，我們將一一分別進行介紹。

絕緣介質內部的局部放電

存在于絕緣介質內部或介質與電極之間的氣隙，其放生放電，都屬于內部局部放電。介質的特性和氣隙的形狀、大小、位置以及其氣隙中的氣體決定了內部局部放電的特性。

一般情況下，我們可以看到絕緣介質內部的氣隙放電的正負半周放電脈沖的圖形基本上是對稱的，如圖2-1所示。

圖2-1內部局部放電波形

從圖上可以看出在放電初始時刻，總是出現(xiàn)在相電壓上升接近90度或270度時；隨著相電壓的升高，放電脈沖出現(xiàn)的相位范圍逐漸擴展，甚至會超過0度和180度，但90度和270度之后的一段相位內都不會出現(xiàn)。事實上絕緣介質內部氣隙的真正放電過程要比我們理論分析的更為復雜。比如放電大小不同、疏密度均勻程度不同，所以放電量小的放電次數(shù)多、間隔時間短;放電量大的放電次數(shù)少、間隔時間長。

圖2-2 氣隙處于金屬電極與絕緣介質之間的放電波形

如圖2-2所示，當氣隙處于金屬電極與絕緣介質之間時，在工頻交流工作電壓下，正負半周放電波形是*不對稱的。當導體為負極性時發(fā)射電子容易，氣隙的擊穿電壓降低，放電波形也就小而密。所以如果高壓端是氣隙一邊的導體，則放電波形在正半周呈現(xiàn)大而稀，負半周呈現(xiàn)小而密；如果接地端是氣隙一邊的導體，則放電波形剛好相反，即負半周大而稀，正半周小而密。

圖2-3是兩種氣隙表面電阻不同的絕緣介質內部氣隙一次放電波形。圖2-3 （a）中氣隙內表面電阻較高為1016Ω；圖2-3（b）中氣隙內表面電阻較低為109Ω。前者時間較短，后者波尾較長。這種差別反映了兩種不同的放電機理。氣隙的形狀、氣隙內表面的狀態(tài)以及氣隙中氣體的性質都會影響放電的波形。

圖2-3 兩種氣隙表面電阻不同的絕緣介質內部氣隙放電波形

氣隙內表面電阻高時，放電產(chǎn)生的電荷只集中在放電通道所對應的氣隙表面上，而不會均勻分布在氣隙的整個表面。所以，在電荷聚集的地方會產(chǎn)生*的電場，整個氣隙中的電場發(fā)生畸變，進而產(chǎn)生流柱型放電現(xiàn)象。這是由于光子激勵發(fā)生電子崩進而形成通道。電子、離子均勻的在通道之中產(chǎn)生，靠陰極近的正離子迅速移向陰極，靠陰極遠的正離子則被積聚的負電荷吸引，因此在通道中正離子消失得快一些，放電波形的波尾會比較的短。但這種放電波形的放電量比較大，幅值高。因為一次流柱放電至少需要10^6個電子崩，而每一電子崩約需要10^4個自由電子組成，所以一次流柱放電zui少需要7.6×10^8個電子，這就相當于122PC的放電量。

氣隙表面電阻較小時，放電產(chǎn)生的電荷會很快的分散到整個氣隙表面，使氣隙中的電場分布較均勻。此時氣隙中的放電應屬于碰撞電離，即湯姆遜放電。由于大部分正離子向負電極移動緩慢（只有少數(shù)被負離子中和而消失），所以放電波形的波尾較長。